第386章 光源打靶问题，改写微观曝光物理规则！

第386章 光源打靶问题，改写微观曝光物理规则！ (第1/2页)

在看了材料组的情况之后。
　　
　　林决又来到EUV光学平台总实验室内。
　　
　　在新材料的研发过程中。
　　
　　光学组这边也没闲着，一直在对林氏函子光学变式，零偏映射装入整机的方案，进行着不断的改进和测试。
　　
　　林决打开门走进实验室，那股熟悉的臭氧味瞬间迎面而来。
　　
　　皱着眉适应了好一会儿，陈望山才笑呵呵道，
　　
　　“我还以为在交流会结束后，你还得跟那些数学机构应酬呢。”
　　
　　林决笑道，
　　
　　“老师我可没那个精力，让学校去管吧，还是实验室待着不烧心......”
　　
　　正在调试光路的蒋墨闻言后也不回道，
　　
　　“这话我爱听！得劲儿！”
　　
　　在场众人闻言，不禁都是都是笑了出来。
　　
　　大家能来参与这个项目，目的都挺纯粹的！
　　
　　那便是搞出一台完全自主研发，达到国际一流水平的光刻机！
　　
　　“好了，大家先停一下！我们开个短会。”
　　
　　林决到拍了拍手，然后把众人叫到办公室。
　　
　　“老师，先具体说说最近一周的情况。”
　　
　　陈望山点了点头，
　　
　　“首先，零偏映射方案电路优化调试达到最优水准，还是延续之前的结果，进入整机后，本周内只报错一次，其余时间全部通过。”
　　
　　“这个成绩极其亮眼，已经达到装机水平了。”
　　
　　“可以。”
　　
　　林决点了点头，并没有丝毫意外。
　　
　　紧接着，其余各个岗位也开始跟进汇报。
　　
　　约莫十五分钟后。
　　
　　陈望山基本将本周光学组进度完全告知后，林决满意点了点头，
　　
　　“......目前看来，我们进度非常完美！”
　　
　　“多层膜误差的工作，基本可以进行收尾了.......”
　　
　　说着，林决呼出一口气，
　　
　　“那么按照计划.......接下来，就是搞定EUV光源的源头问题！”
　　
　　听到林决的话，在场众人立马来了精神。
　　
　　因为林决所说的光源，差不多可以说是是关于自研光刻机的“心脏”问题了！！
　　
　　当然了......
　　
　　这在国内自主研发中，并非一个从零开始的工程，而是已经有一定积累了。
　　
　　在京城光机所的EUV实验室，现在便具有从关键零部件到锡滴板等核心单元的技术。
　　
　　不过即使如此。
　　
　　它依旧存在一个源头性的根源问题，即——
　　
　　【高重频下，锡滴靶的稳定生成与精准打靶】。
　　
　　其核心原理是：
　　
　　让每秒数万甚至数十万级的微小锡滴液。
　　
　　在大小，速度，间距上保持一致的同时，又得让驱动激光以微米级精度，纳米级时序逐颗命中！
　　
　　这个命中效率......
　　
　　直接决定光源到EUV系统中的转和效率，功率上限，以及长期运行稳定寿命......
　　
　　只有这个环节实现成功。
　　
　　光刻机中的“刻”这个环节，才算真正跑通了。
　　
　　而在这之前，解决光刻胶，还有解决多层膜误差问题，在本质上来说......便是解决【精准打靶】的前置条件！
　　
　　而在目前......
　　
　　这个方向，也是自主研发中光源系统最弱势的。
　　
　　因为落到完全光源系统中的时候，目前无法解决激光打靶中微偏移，热变形，气流扰动，落点的积累误差......
　　
　　虽然在单一节点光机所还能稍微控制一下。
　　
　　但在光源不断传播中，动态误差和静态误差几乎都是呈指数级上升，偏差越来越大！
　　
　　也是因此......
　　
　　最后光源将锡滴液打到硅板上的光路成像质量，那画面......便属实惨不忍睹......
　　
　　

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